Número do Produto do Fabricante:
PDTA123JS,126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PDTA123JS,126-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
Inventário:
12880680
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PDTA123JS,126 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
47 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA
Potência - Máx.
500 mW
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Número do produto base
PDTA123
Informação Adicional
Outros nomes
PDTA123JS AMO-DG
PDTA123JS AMO
934057560126
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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