Número do Produto do Fabricante:
PBSS8110AS,126
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PBSS8110AS,126-DG
Descrição:
TRANS NPN 100V 1A TO92-3
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 100MHz 830 mW Through Hole TO-92-3
Inventário:
12871706
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PBSS8110AS,126 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
1 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
100 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 100mA, 1A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
100nA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
150 @ 250mA, 10V
Potência - Máx.
830 mW
Frequência - Transição
100MHz
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Número do produto base
PBSS8
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
PBSS8110AS AMO-DG
934057764126
PBSS8110AS AMO
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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