Número do Produto do Fabricante:
BUK9E6R1-100E,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BUK9E6R1-100E,127-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12810057
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BUK9E6R1-100E,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
133 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17460 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
349W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
BUK9
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNXPBUK9E6R1-100E,127
2156-BUK9E6R1-100E127-NX
BUK9E6R1100E127
934066517127
568-9877-5
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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