Número do Produto do Fabricante:
BUK9E1R9-40E,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BUK9E1R9-40E,127-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 120A (Tj) Through Hole I2PAK
Inventário:
12822420
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BUK9E1R9-40E,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
BUK9
Informação Adicional
Outros nomes
934066511127
2156-BUK9E1R9-40E127-NX
NEXNXPBUK9E1R9-40E,127
568-9870-5
BUK9E1R940E127
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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