Número do Produto do Fabricante:
BUK9E04-30B,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BUK9E04-30B,127-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 254W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
13066337
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BUK9E04-30B,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
TrenchMOS™
Empacotamento
Tube
Status da peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6526 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
254W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
BUK9
Informação Adicional
Outros nomes
BUK9E04-30B
BUK9E04-30B,127-ND
954-BUK9E04-30B127
BUK9E04-30B-ND
568-6637-5
2156-BUK9E04-30B127
934058069127
NEXNXPBUK9E04-30B,127
568-6637
568-6637-ND
BUK9E0430B127
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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