Número do Produto do Fabricante:
BUK7E8R3-40E,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BUK7E8R3-40E,127-DG
Descrição:
75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 75A (Tc) 96W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
1749 Pcs Novo Original Em Estoque
12946171
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BUK7E8R3-40E,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1730 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-BUK7E8R3-40E,127
NEXNEXBUK7E8R3-40E,127
Pacote padrão
686
Classificação Ambiental e de Exportação
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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