BUK769R6-80E,118
Número do Produto do Fabricante:

BUK769R6-80E,118

Product Overview

Fabricante:

NXP Semiconductors

DiGi Electronics Número da Peça:

BUK769R6-80E,118-DG

Descrição:

NEXPERIA BUK769R6-80E - 75A, 80V
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 75A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventário:

486 Pcs Novo Original Em Estoque
12967892
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BUK769R6-80E,118 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Bulk
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
59.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4682 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
182W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Folha de Dados & Documentos

Informação Adicional

Outros nomes
2156-BUK769R6-80E,118-954
Pacote padrão
304

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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