Número do Produto do Fabricante:
BUK753R8-80E,127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BUK753R8-80E,127-DG
Descrição:
TRANSISTOR >30MHZ
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
1749 Pcs Novo Original Em Estoque
12940173
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BUK753R8-80E,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
Tube
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12030 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
349W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNXPBUK753R8-80E,127
2156-BUK753R8-80E127
Pacote padrão
257
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certificação DIGI
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