Número do Produto do Fabricante:
BUK6E2R0-30C127
Product Overview
Fabricante:
NXP USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BUK6E2R0-30C127-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12931772
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BUK6E2R0-30C127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalagem
-
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14964 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
306W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNXPBUK6E2R0-30C127
2156-BUK6E2R0-30C127
Pacote padrão
329
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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