Número do Produto do Fabricante:
PSMN8R5-100ESQ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN8R5-100ESQ-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12919158
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PSMN8R5-100ESQ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5512 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
263W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
934067378127
568-10161-5
PSMN8R5100ESQ
1727-1054
568-10161-5-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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