Número do Produto do Fabricante:
PSMN7R0-60YS,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN7R0-60YS,115-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 89A (Tc) 117W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventário:
58809 Pcs Novo Original Em Estoque
12832613
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PSMN7R0-60YS,115 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
89A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2712 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
117W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK56, Power-SO8
Pacote / Estojo
SC-100, SOT-669
Número do produto base
PSMN7R0
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
568-5596-1-DG
5202-PSMN7R0-60YS,115TR
568-5596-1
568-5596-2-DG
568-5596-6
568-5596-6-DG
1727-4635-2
934064403115
1727-4635-1
568-5596-2
1727-4635-6
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
ON5194,127
MOSFET POWER TRENCH I2PAK
PMZ130UNEYL
MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
PSMN2R6-30YLC,115
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56