PSMN4R8-100BSEJ
Número do Produto do Fabricante:

PSMN4R8-100BSEJ

Product Overview

Fabricante:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PSMN4R8-100BSEJ-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 120A (Tj) 405W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventário:

14469 Pcs Novo Original Em Estoque
12829452
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PSMN4R8-100BSEJ Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
278 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14400 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
405W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
PSMN4R8

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
1727-1103-2
568-10258-2
568-10258-6-DG
PSMN4R8-100BSEJ-DG
1727-1103-1
568-10258-1
1727-1103-6
934067369118
568-10258-2-DG
568-10258-1-DG
5202-PSMN4R8-100BSEJTR
568-10258-6
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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