Número do Produto do Fabricante:
PSMN4R3-100ES,127
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN4R3-100ES,127-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventário:
12831072
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PSMN4R3-100ES,127 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9900 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
338W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
I2PAK
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
568-8596-5-DG
934066116127
PSMN4R3100ES127
568-8596-5
1727-6500
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDI045N10A-F102
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
475
NÚMERO DA PEÇA
FDI045N10A-F102-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.84
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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