Número do Produto do Fabricante:
PSMN2R0-100SSFJ
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN2R0-100SSFJ-DG
Descrição:
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 267A (Ta) 341W (Ta) Surface Mount LFPAK88 (SOT1235)
Inventário:
1900 Pcs Novo Original Em Estoque
12993035
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ENVIAR
PSMN2R0-100SSFJ Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
267A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.07mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
242 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
16140 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
341W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
LFPAK88 (SOT1235)
Pacote / Estojo
SOT-1235
Número do produto base
PSMN2R0
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
5202-PSMN2R0-100SSFJTR
934661572118
1727-PSMN2R0-100SSFJDKR
1727-PSMN2R0-100SSFJTR
1727-PSMN2R0-100SSFJCT
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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