Número do Produto do Fabricante:
PSMN165-200K,518
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PSMN165-200K,518-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 2.9A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Inventário:
12832411
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
PSMN165-200K,518 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
-
Série
TrenchMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1330 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
8-SO
Pacote / Estojo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
934056597518
PSMN165-200K /T3
PSMN165-200K /T3-DG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BUK9Y22-30B,115
MOSFET N-CH 30V 37.7A LFPAK56
BUK9M11-40EX
MOSFET N-CH 40V 53A LFPAK33
NX138BKWF
MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70
