Número do Produto do Fabricante:
PEMB1,115
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PEMB1,115-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventário:
12831145
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PEMB1,115 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Conjuntos de Transistores Bipolares, Pré-Biasados
Fabricante
Nexperia
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50V
Resistor - Base (R1)
22kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
22kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA
Frequência - Transição
-
Potência - Máx.
300mW
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
SOT-563, SOT-666
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-666
Número do produto base
PEMB1
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
PEMB1 T/R-DG
PEMB1 T/R
2156-PEMB1,115-1727
934056869115
Pacote padrão
4,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RN2903FE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3450
NÚMERO DA PEÇA
RN2903FE(TE85L,F)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
RN2908FE(TE85L,F)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
7
NÚMERO DA PEÇA
RN2908FE(TE85L,F)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.04
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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