PDTD113EQAZ
Número do Produto do Fabricante:

PDTD113EQAZ

Product Overview

Fabricante:

Nexperia USA Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

PDTD113EQAZ-DG

Descrição:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3

Inventário:

12830902
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PDTD113EQAZ Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
500 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
1 kOhms
Resistor - Base do Emissor (R2)
1 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
500nA
Frequência - Transição
210 MHz
Potência - Máx.
325 mW
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
3-XDFN Exposed Pad
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1010D-3
Número do produto base
PDTD113

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
5202-PDTD113EQAZTR
NEXNXPPDTD113EQAZ
2156-PDTD113EQAZ-NEX
934069263147
Pacote padrão
5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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