Número do Produto do Fabricante:
PDTA114TMB,315
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
PDTA114TMB,315-DG
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Descrição Detalhada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 250 mW Surface Mount DFN1006B-3
Inventário:
12830393
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PDTA114TMB,315 Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Pré-Biasados Simples
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
100 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA
Frequência - Transição
180 MHz
Potência - Máx.
250 mW
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q100
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
3-XFDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
DFN1006B-3
Número do produto base
PDTA114
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
NEXNEXPDTA114TMB,315
934065921315
2156-PDTA114TMB,315-NEX
2156-PDTA114TMB,315
5202-PDTA114TMB,315TR
Pacote padrão
10,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
RN2111ACT(TPL3)
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
10000
NÚMERO DA PEÇA
RN2111ACT(TPL3)-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.05
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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Certificação DIGI
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