Número do Produto do Fabricante:
BSH111BKR
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Número da Peça:
BSH111BKR-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventário:
24240 Pcs Novo Original Em Estoque
12830749
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BSH111BKR Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
210mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id
1.3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
30 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
302mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-236AB
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
BSH111
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
568-12637-2
568-12637-6-DG
568-12637-6
1727-2340-6
2156-BSH111BKRTR
568-12637-2-DG
5202-BSH111BKRTR
1727-2340-2
934068056215
1727-2340-1
568-12637-1-DG
568-12637-1
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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