Número do Produto do Fabricante:
JANSR2N7381
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
JANSR2N7381-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 9.4A TO257
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 2W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-257
Inventário:
13253619
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JANSR2N7381 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
490mOhm @ 9.4A, 12V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 12 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta), 75W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Military
Qualificação
MIL-PRF-19500/614
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-257
Pacote / Estojo
TO-257-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
JANSR2N7381-ND
150-JANSR2N7381
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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