Número do Produto do Fabricante:
JAN2N7334
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
JAN2N7334-DG
Descrição:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Inventário:
12929658
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JAN2N7334 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
4 N-Channel
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
-
Potência - Máx.
1.4W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Military
Qualificação
MIL-PRF-19500/597
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacote de dispositivos do fornecedor
MO-036AB
Número do produto base
2N733
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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