Número do Produto do Fabricante:
JAN2N6788
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
JAN2N6788-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventário:
12927431
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JAN2N6788 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Military
Qualificação
MIL-PRF-19500/555
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AF Metal Can
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
JAN2N6788-DG
150-JAN2N6788
JAN2N6788-MIL
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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