Número do Produto do Fabricante:

APTM100DA33T1G

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

APTM100DA33T1G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 1000V 23A SP1

Descrição Detalhada:

N-Channel 1000 V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1

Inventário:

RFQ Online

13251741

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APTM100DA33T1G Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Microsemi

Embalagem

-

Série

-

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

1000 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

23A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

396mOhm @ 18A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

5V @ 2.5mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

305 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±30V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

7868 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

390W (Tc)

Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Chassis Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

SP1

Pacote / Estojo

SP1

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

APTM100DA33T1G High-Voltage Power Discretes and Modules

Informação Adicional

Outros nomes

APTM100DA33T1G-ND

150-APTM100DA33T1G

Pacote padrão

1

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

RoHS Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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