Número do Produto do Fabricante:
APT80SM120J
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
APT80SM120J-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventário:
13260627
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APT80SM120J Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
2.5V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+25V, -10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
273W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
SOT-227
Pacote / Estojo
SOT-227-4, miniBLOC
Informação Adicional
Outros nomes
150-APT80SM120J
APT80SM120J-ND
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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