Número do Produto do Fabricante:
APT6030BN
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
APT6030BN-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventário:
13256204
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APT6030BN Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
POWER MOS IV®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AD
Pacote / Estojo
TO-247-3
Informação Adicional
Outros nomes
150-APT6030BN
APT6030BN-ND
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTH30N60L2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
475
NÚMERO DA PEÇA
IXTH30N60L2-DG
PREÇO UNITÁRIO
12.61
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IXYS
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170
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PREÇO UNITÁRIO
12.22
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PREÇO UNITÁRIO
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5.53
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PREÇO UNITÁRIO
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