Número do Produto do Fabricante:
APT10M09B2VFRG
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
APT10M09B2VFRG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventário:
13261425
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APT10M09B2VFRG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
POWER MOS V®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9875 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
625W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
T-MAX™ [B2]
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Informação Adicional
Outros nomes
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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