Número do Produto do Fabricante:
APT1002RBNG
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
APT1002RBNG-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247AD
Inventário:
13249878
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APT1002RBNG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
POWER MOS IV®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
240W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AD
Pacote / Estojo
TO-247-3
Informação Adicional
Outros nomes
APT1002RBNG-ND
150-APT1002RBNG
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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