Número do Produto do Fabricante:
2N6796
Product Overview
Fabricante:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
2N6796-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 8A TO39
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 8A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventário:
13247001
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2N6796 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AF Metal Can
Informação Adicional
Outros nomes
2N6796-ND
150-2N6796
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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