2N6764
Número do Produto do Fabricante:

2N6764

Product Overview

Fabricante:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Número da Peça:

2N6764-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 100V 38A TO3
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventário:

13255936
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

2N6764 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microsemi
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-3
Pacote / Estojo
TO-204AE

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
2N6764-ND
150-2N6764
Pacote padrão
1

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
microchip-technology

APT10078SLLG

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

onsemi

NVHL075N065SC1

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC

onsemi

NTBG030N120M3S

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

microsemi

APT15F60B

MOSFET N-CH 600V 16A TO247