Número do Produto do Fabricante:
VP2110K1-G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
VP2110K1-G-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 120mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Inventário:
12199 Pcs Novo Original Em Estoque
12818423
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ENVIAR
VP2110K1-G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120mA (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
360mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-236AB (SOT23)
Pacote / Estojo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número do produto base
VP2110
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Projeto/especificação do PCN
Informação Adicional
Outros nomes
VP2110K1-G-DG
VP2110K1-GCT
VP2110K1-GTR
VP2110K1-GDKR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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