VN1206L-G-P002
Número do Produto do Fabricante:

VN1206L-G-P002

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

DiGi Electronics Número da Peça:

VN1206L-G-P002-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 120V 230MA TO92-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 230mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventário:

12863079
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VN1206L-G-P002 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
230mA (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
125 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Número do produto base
VN1206

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
2,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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