VN0109N3-G
Número do Produto do Fabricante:

VN0109N3-G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

DiGi Electronics Número da Peça:

VN0109N3-G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 90V 350MA TO92-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 90 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventário:

3705 Pcs Novo Original Em Estoque
12808152
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

VN0109N3-G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Bag
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
90 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
350mA (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.4V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
65 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto base
VN0109

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

SPI10N10

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO262-3

infineon-technologies

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

infineon-technologies

SPP24N60C3XKSA1

MOSFET N-CH 650V 24.3A TO220-3

infineon-technologies

SPB47N10L

MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3