Número do Produto do Fabricante:
TN0106N3-G-P003
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
TN0106N3-G-P003-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventário:
943 Pcs Novo Original Em Estoque
12809114
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ENVIAR
TN0106N3-G-P003 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
350mA (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 500µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número do produto base
TN0106
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
150-TN0106N3-G-P003CT
TN0106N3-G-P003-DG
150-TN0106N3-G-P003DKR-DG
150-TN0106N3-G-P003DKRINACTIVE
150-TN0106N3-G-P003TR
150-TN0106N3-G-P003DKR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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