Número do Produto do Fabricante:
MSCSM170HRM11NG
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
MSCSM170HRM11NG-DG
Descrição:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 226A (Tc), 163A (Tc) 1.012kW (Tc), 662W (Tc) Chassis Mount
Inventário:
12960679
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MSCSM170HRM11NG Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Recurso FET
Silicon Carbide (SiC)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
226A (Tc), 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 120A, 20V, 16mOhm @ 80A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
3.2V @ 10mA, 2.8V @ 6mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
712nC @ 20V, 464nC @ 20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13200pF @ 1000V, 6040pF @ 1000V
Potência - Máx.
1.012kW (Tc), 662W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
-
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
150-MSCSM170HRM11NG
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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