Número do Produto do Fabricante:
MSC360SMA120B
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
MSC360SMA120B-DG
Descrição:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventário:
138 Pcs Novo Original Em Estoque
12970933
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
MSC360SMA120B Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
3.14V @ 500µA (Typ)
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
255 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
MSC360
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
150-MSC360SMA120B
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
PJQ5462A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJE8428_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD60R540E_L2_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
