Número do Produto do Fabricante:
MSC080SMA120B4
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
MSC080SMA120B4-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
104 Pcs Novo Original Em Estoque
12939511
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MSC080SMA120B4 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
37A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 15A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 1mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+23V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
838 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
MSC080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
150-MSC080SMA120B4
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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