Número do Produto do Fabricante:
JANSD2N3439L
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
JANSD2N3439L-DG
Descrição:
RH POWER BJT
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-5AA
Inventário:
12987139
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
JANSD2N3439L Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
1 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
350 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
2µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Potência - Máx.
800 mW
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 200°C
Grau
Military
Qualificação
MIL-PRF-19500/368
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-5AA
Informação Adicional
Outros nomes
150-JANSD2N3439L
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
