JANS2N3507L
Número do Produto do Fabricante:

JANS2N3507L

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

DiGi Electronics Número da Peça:

JANS2N3507L-DG

Descrição:

POWER BJT
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 1 W Through Hole TO-5AA

Inventário:

13000821
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JANS2N3507L Especificações Técnicas

Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
3 A
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
50 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Corrente - Corte do coletor (máx.)
1µA
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 500mA, 1V
Potência - Máx.
1 W
Frequência - Transição
-
Temperatura de operação
-65°C ~ 200°C (TJ)
Grau
Military
Qualificação
MIL-PRF-19500/349
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-5AA

Informação Adicional

Outros nomes
150-JANS2N3507L
Pacote padrão
1

Classificação Ambiental e de Exportação

REACH Status
REACH Unaffected
Certificação DIGI
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