APT34N80B2C3G
Número do Produto do Fabricante:

APT34N80B2C3G

Product Overview

Fabricante:

Microchip Technology

DiGi Electronics Número da Peça:

APT34N80B2C3G-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventário:

RFQ Online
13247744
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APT34N80B2C3G Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 2mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4510 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
T-MAX™ [B2]
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
APT34N80

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
APT34N80(B2,L)C3 High-Voltage Power Discretes and Modules

Informação Adicional

Outros nomes
APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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