Número do Produto do Fabricante:
APT29F100B2
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
APT29F100B2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Inventário:
37 Pcs Novo Original Em Estoque
13252746
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APT29F100B2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tube
Série
POWER MOS 8™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1040W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
T-MAX™ [B2]
Pacote / Estojo
TO-247-3 Variant
Número do produto base
APT29F100
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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