Número do Produto do Fabricante:
APT11N80BC3G
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
APT11N80BC3G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventário:
90 Pcs Novo Original Em Estoque
13261199
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APT11N80BC3G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 680µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1585 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247 [B]
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
APT11N80
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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