Número do Produto do Fabricante:
2N6660
Product Overview
Fabricante:
Microchip Technology
DiGi Electronics Número da Peça:
2N6660-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventário:
2405 Pcs Novo Original Em Estoque
13036055
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ENVIAR
2N6660 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Microchip Technology
Embalagem
Bag
Série
-
Empacotamento
Bag
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
410mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 24 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-39
Pacote / Estojo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Folha de Dados & Documentos
Montagem/Origem do PCN
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2N6660MC
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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