Número do Produto do Fabricante:
SICW080N120Y4-BP
Product Overview
Fabricante:
Micro Commercial Co
DiGi Electronics Número da Peça:
SICW080N120Y4-BP-DG
Descrição:
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 39A 223W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventário:
338 Pcs Novo Original Em Estoque
12999454
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SICW080N120Y4-BP Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Micro Commercial Components (MCC)
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
39A
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
3.6V @ 5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -8V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
223W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
SICW080
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
353-SICW080N120Y4-BP
Pacote padrão
360
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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