MMIX1F180N25T
Número do Produto do Fabricante:

MMIX1F180N25T

Product Overview

Fabricante:

IXYS

DiGi Electronics Número da Peça:

MMIX1F180N25T-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Descrição Detalhada:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD

Inventário:

20 Pcs Novo Original Em Estoque
12822065
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MMIX1F180N25T Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
250 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 8mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23800 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
570W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
24-SMPD
Pacote / Estojo
24-PowerSMD, 21 Leads
Número do produto base
MMIX1F180

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
-MMIX1F180N25T
Pacote padrão
20

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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