Número do Produto do Fabricante:
MCB60I1200TZ-TUB
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
MCB60I1200TZ-TUB-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 90A (Tc) Surface Mount TO-268AA (D3Pak-HV)
Inventário:
13270589
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MCB60I1200TZ-TUB Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
34mOhm @ 50A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 15mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2790 pF @ 1000 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268AA (D3Pak-HV)
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
MCB60I1200
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
238-MCB60I1200TZ-TUB
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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