LSIC1MO120G0080
Número do Produto do Fabricante:

LSIC1MO120G0080

Product Overview

Fabricante:

Littelfuse Inc.

DiGi Electronics Número da Peça:

LSIC1MO120G0080-DG

Descrição:

MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 39A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Inventário:

12963126
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

LSIC1MO120G0080 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 20 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
170 pF @ 800 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247-4L
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
LSIC1MO120

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
18-LSIC1MO120G0080
-1024-LSIC1MO120G0080
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SI4455DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 2A 8SO

vishay-siliconix

SI9410BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

vishay-siliconix

SI7302DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 220V 8.4A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI3441BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP