Número do Produto do Fabricante:
IXTY2N100P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTY2N100P-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12821659
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IXTY2N100P Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Polar
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
655 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IXTY2
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Pacote padrão
70
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STD3NK100Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1359
NÚMERO DA PEÇA
STD3NK100Z-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.95
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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