Número do Produto do Fabricante:
IXTY08N100D2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTY08N100D2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Descrição Detalhada:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventário:
12911195
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IXTY08N100D2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Depletion
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (máx) @ id
-
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14.6 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
325 pF @ 25 V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IXTY08
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
70
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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