Número do Produto do Fabricante:
IXTT3N200P3HV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTT3N200P3HV-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Descrição Detalhada:
N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
Inventário:
5 Pcs Novo Original Em Estoque
12823279
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXTT3N200P3HV Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Polar P3™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
2000 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1860 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
520W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268HV (IXTT)
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXTT3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
-IXTT3N200P3HV
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF7207TR
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
IRF7416GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
