Número do Produto do Fabricante:
IXTT34N65X2HV
Product Overview
Fabricante:
IXYS
DiGi Electronics Número da Peça:
IXTT34N65X2HV-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
Inventário:
12911224
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IXTT34N65X2HV Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalagem
Tube
Série
Ultra X2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
96mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
540W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-268HV (IXTT)
Pacote / Estojo
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número do produto base
IXTT34
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFU120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
IRL640
MOSFET N-CH 200V 17A TO220AB
IRFP240
MOSFET N-CH 200V 20A TO247-3
